Electron and hole traps in SiO2 films thermally grown on Si substrates in ultra-dry oxygen

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on electron devices 1988-12, Vol.35 (12), p.2245-2252
Hauptverfasser: MIKI, H, NOGUCHI, M, YOKOGAWA, K, BO-WOO KIM, ASADA, K, SUGANO, T
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9383
1557-9646
DOI:10.1109/16.8799