Isolated emitter AlGaAs/GaAs HBT integrated with emitter-down HI2L technology

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE electron device letters 1989-11, Vol.10 (11), p.508-510
Hauptverfasser: PLUMTON, D. L, CHANG, C. T. M, WOODS, B. O
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0741-3106
1558-0563
DOI:10.1109/55.43119