A Kinetic investigation of cluster formation in semiconductors at elevated temperatures

A complete modelling of the formation of point defect clusters in solid should include not only the thermodynamic, but also the kinetic aspect. A simple model is presented which describes quantitatively the non‐trivial diffusion process of point defects to the growing cluster. It is applied to the formation of B‐defects (swirl defects) in silicon by the agglomeration of self‐interstitials. The results are at least qualitatively applicable to the formation of impurity clusters, too, e.g. to the oxygen precipitation in silicon. Eine vollständige Beschreibung der Bildung von Punktdefektclustern in Festkörpern sollte nicht nur den thermodynamischen, sondern auch den kinetischen Aspekt erfassen. Es wird ein einfaches Modell vorgestellt, mit dessen Hilfe der keineswegs triviale Diffusionsvorgang von Punktdefekten zum wachsenden Cluster quantitativ erfaßt werden kann. Es wird für die Bildung von B‐Defekten (Swirl‐Defekten) in Silizium durch Agglomeration von Eigen‐Zwischengitteratomen ausgewertet. Die Ergebnisse sind zumindest qualitativ auch auf die Bildung von Fremdatomclustern anwendbar, z. B. auf die Sauerstoffpräzipitation in Silizium.