Extremely sharp erbium-related intra-4f-shell photoluminescence of erbium-doped GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 1988-10, Vol.53 (18), p.1726-1728
Hauptverfasser: NAKAGOME, H, UWAI, K, TAKAHEI, K
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0003-6951
1077-3118
DOI:10.1063/1.99807