High-pressure studies of resonant tunnelling in a graded parameter superlattice and in double barrier structures of GaAs/AlAs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 1989-09, Vol.4 (9), p.754-764
Hauptverfasser:	Pritchard, R, Klipstein, P C, Couch, N R, Kerr, T M, Roberts, J S, Mistry, P, Soylu, B, Stobbs, W M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Interfaces Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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