Picosecond large-signal switching characteristics of a pseudomorphic AIGaAs/InGaAs modulated doped field effect transistor

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1992, Vol.61 (10), p.1187-1189
Hauptverfasser:	JACKSON, M. K, FRANKEL, M. Y, WHITAKER, J. F, MOUROU, G. A, HULIN, D, ANTONETTI, A, VAN HOVE, M, DE RAEDT, W, CROZAT, P, HAFDALLAH, H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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