Material properties of Ga0.47In0.53 as grown on InP by low-temperature molecular beam epitaxy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1992, Vol.61 (11), p.1347-1349
Hauptverfasser:	KÜNZEL, H, BÖTTCHER, J, GIBIS, R, URMANN, G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Conductivity phenomena in semiconductors and insulators Electronic transport in condensed matter Exact sciences and technology Low-field transport and mobility piezoresistance Physics
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!