On the Composition Dependence of the Be Acceptor Energy Level in AlxGa1−xAs (0 ≦ x ≦ 1)

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1992-07, Vol.132 (1), p.K43-K46
1. Verfasser:	Pödör, B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Electron states Exact sciences and technology Impurity and defect levels Physics
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