Effective techniques for ultra-high purity liquid phase epitaxial growth of Ga0.47In0.53As

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese journal of applied physics 1992-07, Vol.31 (7), p.2185-2194
Hauptverfasser: AMANO, T, KONDO, S, NAGAI, H
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/jjap.31.2185