A sub-10 ps/gate direct-coupled FET logic circuit with 0.2μm-gate GaAs MESFET

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1990-12, Vol.29 (12), p.L2438-L2441
Hauptverfasser:	TSUJI, H, INOMATA FUJISHIRO, H, NAKAMURA, H, NISHI, S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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