Improvement of hydrogenated amorphous silicon n-i-p diode performance by H2 plasma treatment for i/p interface

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1990, Vol.29 (12), p.L2159-L2162
Hauptverfasser:	IHARA, H, NOZAKI, H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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