Formation and behavior of BGaVAs complex defects in gallium arsenide grown by liquid-encapsulated Czochralski method

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1990-12, Vol.68 (11), p.5696-5699
Hauptverfasser:	ORITO, F, FUJII, K, OKADA, Y
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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