Modeling submicrometer GaAs MEFET's using PISCES with an apparent gate-length-dependent velocity-field relation

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1992, Vol.39 (7), p.1778-1780
Hauptverfasser:	FARDI, H. Z, HAYES, R. E
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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