Hybrid electron cyclotron resonance-radio-frequency plasma etching of III-V semiconductors in Cl2-based discharges. I : GaAs and related compounds
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Veröffentlicht in: | Plasma chemistry and plasma processing 1991, Vol.11 (4), p.405-422 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0272-4324 1572-8986 |