Fast thermal kinetic growth of silicon dioxide films on InP by rapid thermal low-pressure chemical vapour deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 1992-04, Vol.7 (4), p.583-594
Hauptverfasser:	Katz, A, Feingold, A, Pearton, S J, Chakrabarti, U K, Lee, K M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics
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