A 576K 3.5-ns access BiCMOS ECL static RAM with array built-in self-test

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE journal of solid-state circuits 1992-04, Vol.27 (4), p.649-656
Hauptverfasser: BONGES, H. A, ADAMS, R. D, ROBERTS, A. L, ALLEN, A. J, FLAKER, R, GRAY, K. S, HEDBERG, E. L, HOLMAN, W. T, LATTIMORE, G. M, LAVALETTE, D. A, NGUYEN, K. Y. T
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0018-9200
1558-173X
DOI:10.1109/4.126556