Hole mobility enhancement in MOS-gated GexSi1-x/Si heterostructure inversion layers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 1992, Vol.13 (1), p.56-58
Hauptverfasser:	GARONE, P. M, VENKATARAMAN, V, STURM, J. C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microwave and submillimeter wave devices, electron transfer devices Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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