Fluorine diffusion on a polysilicon grain boundary network in relation to boron penetration from P+ gates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 1992, Vol.13 (1), p.14-16
Hauptverfasser:	HSING-HUANG TSENG, ORLOWSKI, M, TOBIN, P. J, HANCE, R. L
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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