Confirmation of the correlation between the electrical hysteresis and silicon dangling bond density in silicon nitride by UV irradiation of nearly hysteresis free metal-nitride capacitors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1991, Vol.30 (12A), p.L1996-L1997
Hauptverfasser:	LAU, W. S, GOO, C. H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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