Hole confinement in MOS-gated GexSi1-x/Si heterostructures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 1991-05, Vol.12 (5), p.230-232
Hauptverfasser:	GARONE, P. M, VENKATARAMAN, V, STURM, J. C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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