Carrier concentration determination by photoreflectance at E1 in thin film, highly doped GaAs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1991-09, Vol.59 (10), p.1218-1220
Hauptverfasser:	ALI BADAKHASHAN, GLOSSER, R, LAMBERT, S, ANTHONY, M, SILLMON, R. S, THOMPSON, P. E, ALAVI, K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures Exact sciences and technology Physics Surface and interface electron states
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