Strained-layer IncGaAs-GaAs-AlGaAs lasers grown by molecular beam epitaxy for high-speed modulation

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE journal of quantum electronics 1991, Vol.27 (6), p.1455-1462
Hauptverfasser:	OFFSEY, S. D, SCHAFF, W. J, LESTER, L. F, EASTMAN, L. F, MCKERNAN, S. K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Exact sciences and technology Fundamental areas of phenomenology (including applications) Lasers Optics Physics Semiconductor lasers laser diodes
Online-Zugang:	Volltext
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