Acoustic Deep-Level Transient Spectroscopy of MIS Structures

A new method of determining and characterization of traps at the insulator‐semiconductor interface is presented. This method, acoustic deep‐level transient spectroscopy (A‐DLTS), is based on the acoustoelectric response effect observed at the interface. A theoretical analysis of the acoustoelectric transient measurements in accordance to capacitance ones is also presented. The temperature dependence of the acoustoelectric response after bias voltage step application is investigated and the activation energies are calculated. Some other parameters of interface traps are also determined. The method is verified by the investigation of both, n‐ and p‐type SiO2Si interface states. Eine neue Methode zur Charakterisierung der Traps in der Grenzschicht von MIS‐Strukturen wird vorgestellt. Diese Methode, akustische‐DLTS genannt (A‐DLTS), besteht in der Beobachtung der akustoelektrischen Response an der Grenzschicht. Eine theoretische Analyse der akustoelektrischen Transientenmessungen erfolgt in Beziehung zu ähnlichen kapazitiven Messungen. Die Abhängigkeit der akustoelektrischen Response wird nach sprunghafter änderung der Vorspannung untersucht, und die Aktivierungsenergien werden berechnet. Einige andere Parameter der Traps in der Grenzschicht werden ebenfalls bestimmt. Die Methode wird durch die Untersuchungen an n‐ und p‐leitenden SiO2Si‐Grenzschichten überprüft.