Property control for high-quality Ba1-xKxBiO3 epitaxial thin films prepared by high-pressure reactive rf-magnetron sputtering

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese journal of applied physics 1993-05, Vol.32 (5A), p.1946-1951
Hauptverfasser: IYORI, M, SUZUKI, S, SUZUKI, H, YAMANO, K, TAKAHASHI, K, USUKI, T, YOSHISATO, Y, NAKANO, S
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/jjap.32.1946