1/f noise in n-p-n GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistors : impact of intrinsic transistor and parasitic series resistances

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1993-06, Vol.40 (6), p.1148-1153
Hauptverfasser:	KLEINPENNING, T. G. M, HOLDEN, A. J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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