Intermediate amorphous layer formation mechanism at the interface of epitaxial CeO2 layers and Si substrates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1993-04, Vol.32 (4), p.1765-1767
Hauptverfasser:	INOUE, T, OHSUNA, T, OBARA, Y, YAMAMOTO, Y, SATOH, M, SAKURAI, Y
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Exact sciences and technology Physics Solid surfaces and solid-solid interfaces Surface and interface dynamics and vibrations Surfaces and interfaces thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties) Thin film structure and morphology
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