In-depth profiling of suboxide compositions in the SiO2/Si interface by angle-resolved X-Ray photoelectron spectroscopy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1989-12, Vol.28 (12), p.L2324-L2326
Hauptverfasser:	TAKAKURA, M, SUNADA, T, MIYAZAKI, S, HIROSE, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Miscellaneous Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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