Reduction of internal stress by compositional gradient layer inserted between TiSi2 and Si

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1989-12, Vol.28 (12), p.L2297-L2300
Hauptverfasser:	HATA, T, TSUCHITANI, M, KAMIYA, K, HORITA, S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Miscellaneous Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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