Voltage dependence of trap-generated 1/f noise in MESFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Solid-state electronics 1993-03, Vol.36 (3), p.483-484
1. Verfasser:	FOLKES, P. A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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