Threading dislocation reduction in InP on GaAs by thin strained interlayer and its application to the fabrication of 1.3-μm-wavelength laser on GaAs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1993, Vol.32 (1B), p.614-617
Hauptverfasser:	OKUNO, Y, KAWANO, T, TSUCHIYA, T, TANIWATARI, T
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Exact sciences and technology Fundamental areas of phenomenology (including applications) Lasers Optics Physics Semiconductor lasers laser diodes
Online-Zugang:	Volltext
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