The influence of a hydride preflow on the crystalline quality of InP growth on exactly oriented (100)Si

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of electronic materials 1992, Vol.21 (12), p.1141-1146
Hauptverfasser: LUBNOW, A, TANG, G. P, WEHMANN, H.-H, SCHLACHETZKI, A, BUGIEL, E, ZAUMSEIL, P
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0361-5235
1543-186X