Stress-Induced Anisotropy and Domain Patterns of Amorphous Co67Fe4Mo1Si12B16

The stress dependence and the stress‐induced anisotropy of the amorphous alloy with composition Co67Fe4Mo1Si12B16 is investigated. A stress‐induced anisotropy is found after stress annealing at temperatures above 520 K, i.e., above the Curie temperature of 505 K. The anisotropy can be removed nearly...

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Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1992-10, Vol.133 (2), p.465-471
Hauptverfasser: Tittes, W., Santos, A. D., Reininger, T., Kronmüller, H.
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:The stress dependence and the stress‐induced anisotropy of the amorphous alloy with composition Co67Fe4Mo1Si12B16 is investigated. A stress‐induced anisotropy is found after stress annealing at temperatures above 520 K, i.e., above the Curie temperature of 505 K. The anisotropy can be removed nearly completely by a second annealing at the same temperatures without stress. After stress annealing above 520 K the domain walls are oriented perpendicular to the direction of the stress, although the nearly zero magnetostriction, λs, of the material is positive. Both effects are attributed to a structural anisotropy, which gives rise to thermally activated reorientation processes. Es wird die Zugspannungsabhängigkeit und die durch eine Zugspannung induzierte Anisotropie in einer amorphen Legierung der Zusammensetzung Co67Fe4Mo1Si12B16 untersucht. Nach einer Anlaßbehandlung unter Zugspannung oberhalb der Curie‐Temperatur (Ta = 520 K, Tc = 505 K) wird eine induzierte Anisotropie gefunden. Diese Anisotropie kann nahezu vollständig durch eine zweite Anlaßbehandlung bei derselben Anlaßtemperatur jedoch ohne Zugspannung abgebaut werden. Nach der Anlaßbehandlung unter Zugspannung bei Ta = 520 K sind die Domänenwände senkrecht zur Zugspannung orientiert, obwohl die Magnetostriktion in dieser Legierung positiv ist. Beide Effekte werden einer strukturellen Anisotropie zugeschrieben, welche sich durch thermisch aktivierte atomare Umorientierungsprozesse ausbildet.
ISSN:0031-8965
1521-396X
DOI:10.1002/pssa.2211330230