SiH3 radical density in pulsed silane plasma

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1990, Vol.29 (3), p.585-590
Hauptverfasser:	ITABASHI, N, NISHIWAKI, N, MAGANE, M, GOTO, T, MATSUDA, A, YAMADA, C, HIROTA, E
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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