Theory and application of charge pumping for the characterization of Si-SiO2 interface and near-interface oxide traps

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1994-07, Vol.41 (7), p.1213-1216
Hauptverfasser:	PAULSEN, R. E, WHITE, M. H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Interfaces Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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