Effect of surface passivation with SiN on the electrical properties on InP/InGaAs heterojunction bipolar transitors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1993, Vol.74 (9), p.5602-5605
Hauptverfasser:	OUACHA, A, WILLANDER, M, HAMMARLUND, B, LOGAN, R. A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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