Charge carrier recombination and diffusion in InGaAs(P) epitaxial layers

The method of picosecond light‐induced grating is used for the investigation of non‐equilibrium charge carrier dynamics in epitaxial layers of InGaAsP, InGaAs and InP. The carrier recombination time τR and the diffusion coefficient Da are determined. The influence of bleaching on the revealed values...

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Veröffentlicht in:Physica status solidi. A, Applied research Applied research, 1993-12, Vol.140 (2), p.439-443
Hauptverfasser: Juodkazis, S., Petrauskas, M., Quacha, A., Willander, M.
Format: Artikel
Sprache:eng
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