Improvement of bonded silicon-on-insulator using TCE-grown oxide as buried SiO2

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1993-06, Vol.32 (6A), p.2854-2855
Hauptverfasser:	QING-AN HUANG, JUN-NING CHEN, HUI-ZHEN ZHANG, QIN-YI TONG
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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