The growth of highly mismatched InxGa1-xAs (0.28≤x≤1) on GaAs by molecular-beam epitaxy

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Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1993-05, Vol.73 (10), p.4916-4926
Hauptverfasser:	SHOU-ZEN CHANG, TIEN-CHIH CHANG, SI-CHEN LEE
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy Physics
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