The determinatin of valence band discontinuities in Si/Si1-xGex/Si heterojunctions by capacitance-voltage techniques

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of applied physics 1993, Vol.74 (3), p.1894-1899
Hauptverfasser: BRIGHTEN, J. C, HAWKINS, I. D, PEAKER, A. R, PARKER, E. H. C, WHALL, T. E
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-8979
1089-7550