CH4/H2/AR electron cyclotron resonance plasma etching for GaAs-based field effect transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1995, Vol.142 (8), p.2849-2852
Hauptverfasser:	VAN HASSEL, J. G, VAN ES, C. M, NOUWENS, P. A. M, MAAHURY, J. H, KAUFMANN, L. M. F
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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