Temperature-dependent positive oxide charge annealing by electron tunnelling

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 1995-05, Vol.10 (5), p.586-591
Hauptverfasser:	Scharf, S, Schmidt, M, Braunig, D
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures Electronic transport in interface structures Exact sciences and technology Physics Tunneling
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