Breakdown mechanisms in pseudomorphic InAlAs/InxGa1-xAs high electron mobility transistors on InP. II: On-state

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1995, Vol.34 (4A), p.1805-1808
Hauptverfasser:	DICKMANN, J, SCHILDBERG, S, RIEPE, K, MAILE, B. E, SCHURR, A, GEYER, A, NAROZNY, P
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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