On restoring the original semiconducting properties of n-GaP after neutron activation

For performing radiochemical photocorrosion measurements in aqueous electrolytes, n‐GaP samples are irradiated with thermal neutrons (neutron doses 1.8 ×1017 and 1.8 × 1017 n cm−2). The neutron irradiation induces defects that drastically alter the semiconducting properties. By annealing the samples (700 °C) it is possible to annihilate these defects and to restore the original semiconducting and electrochemical properties. This process is investigated by the Mott‐Schottky evaluation of electrochemical capacitance‐voltage measurements. Zur Durchführung von radiochemischen Korrosionsuntersuchungen in wäßrigen Elektrolyten werden n‐GaP‐Elektroden mit thermischen Neutronen bestrahlt (Neutronendosis 1,8 × 1017 bzw. 1,8 × 1018 n cm−2). Die durch die Neutronenbestrahlung induzierten Defekte führen zu drastischen Änderungen der Halbleitereigenschaften. Durch Temperung der Proben (700 °C) ist es möglich, diese Defekte zu beseitigen und die ursprünglichen halbleitenden und elektrochemischen Eigenschaften wieder herzustellen. Dieser Vorgang wird mit Hilfe der Mott‐Schottky‐Auswertung von elektrochemischen Kapazitäts‐Spannungsmessungen untersucht.