Effect of native oxide upon formation of amorphous SiOx layer at the interface of directly bonded silicon wafers

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1995, Vol.34 (2A), p.425-429
Hauptverfasser:	ISHIGAMI, S.-I, KONDOH, H, RYUTA, J, KAWAI, Y, FURUYA, H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Diffusion interface formation Exact sciences and technology Physics Solid surfaces and solid-solid interfaces Surfaces and interfaces thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties)
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