Spectral and random telegraph noise characterizations of low-frequency fluctuations in GaAs/Al0.4Ga0.6As resonant tunneling diodes

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1994-11, Vol.41 (11), p.2016-2022
Hauptverfasser:	SURYA, C, SZE-HIM NG, BROWN, E. R, MAKI, P. A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Testing, measurement, noise and reliability
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!