Influence of Al content x on hot electron noise in AlxGA1-xAs n+nn+ devices : comparison with GaAs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1994, Vol.41 (11), p.2082-2086
Hauptverfasser:	DE MURCIA, M, RICHARD, E, VANBREMEERSCH, J, ZIMMERMANN, J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Testing, measurement, noise and reliability
Online-Zugang:	Volltext
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