High quality CaF2 layers on Si(111) with type-A epitaxial relation at the interface

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 1996, Vol.169 (1), p.40-50
Hauptverfasser:	SOKOLOV, N. S, ALVAREZ, J. C, GASTEV, S. V, SHUSTERMAN, YU. V, TAKAHASHI, I, ITOH, Y, HARADA, J, OVERNEY, R. M
Format:	Artikel
Sprache:	rus
Online-Zugang:	Volltext
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