Growth and characterization of GaN layers on SiC substrates

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: DMITRIEV, V, IRVINE, K, MUSIKHIN, YU, BERT, N, BULMAN, G, EDMOND, J, ZUBRILOV, A, NIKOLAEV, V, NIKITINA, I, TSVETKOV, D, BABANIN, A, SITNIKOVA, A
Format: Tagungsbericht
Sprache:rus
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0022-0248
1873-5002