SiO2 etching in C4F8/O2 electron cyclotron resonance plasma

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1996, Vol.35 (4B), p.2483-2487
Hauptverfasser:	SIOZAWA, K.-I, TABARU, K, MARUYAMA, T, FUJIWARA, N, YONEDA, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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