Temperature dependence of the high-field electron transport characteristics in n-GaAs emitters

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 1996, Vol.11 (6), p.883-889
Hauptverfasser:	GHERM, V, SEMYKINA, E, ROZE, K
Format:	Artikel
Sprache:	rus
Online-Zugang:	Volltext
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